![Транзистор MOSFET IRF540 (IRF540NPBF) n-канал, 33А, 100В Транзистор MOSFET IRF540 (IRF540NPBF) n-канал, 33А, 100В](https://chip-mania.ru/assets/pic/p12745/n29066/6301147679b92.jpg)
![Транзистор MOSFET IRF540 (IRF540NPBF) n-канал, 33А, 100В](https://chip-mania.ru/assets/pic/p12745/n29066/6301147679b92.jpg)
![Транзистор MOSFET IRF540 (IRF540NPBF) n-канал, 33А, 100В](https://chip-mania.ru/assets/pic/p12745/n29066/630114e3649cc.jpg)
MOSFET транзистор IRF540N
Характеристики:
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток: 100 В
Максимальный ток сток-исток при 25 С: 33 А
Максимальное напряжение затвор-исток: ±20 В
Сопротивление канала в открытом состоянии: 44 мОм
Максимальная рассеиваемая мощность: 120 Вт
Крутизна характеристики: 21 S
Корпус: TO-220AB
Пороговое напряжение на затворе: 2…4 В
Характеристики:
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток: 100 В
Максимальный ток сток-исток при 25 С: 33 А
Максимальное напряжение затвор-исток: ±20 В
Сопротивление канала в открытом состоянии: 44 мОм
Максимальная рассеиваемая мощность: 120 Вт
Крутизна характеристики: 21 S
Корпус: TO-220AB
Пороговое напряжение на затворе: 2…4 В