Характеристики:
Материал p-n-перехода: Si
Структура транзистора: PNP
Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.5 W
Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 45 V
Предельное постоянное напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Предельный постоянный ток коллектора транзистора (Ic max): 0.8 A
Предельная температура p-n перехода (Tj): 150 C
Граничная частота коэффициента передачи тока (Ft) транзистора: 60 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 18 pF
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe), min: от 160 до 400
Материал p-n-перехода: Si
Структура транзистора: PNP
Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.5 W
Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 45 V
Предельное постоянное напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Предельный постоянный ток коллектора транзистора (Ic max): 0.8 A
Предельная температура p-n перехода (Tj): 150 C
Граничная частота коэффициента передачи тока (Ft) транзистора: 60 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 18 pF
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe), min: от 160 до 400